“哈哈，老盧，到時候你是不是還要對三星李志運來一句，我想李先生也不想看到太太，啊呸，是紅星削減三星訂單轉向華夏國產吧？”
陳星笑著開了一句玩笑，嘖嘖，老辦法嘛。
裝糖。
“嘿嘿，快閃記憶體專案是國家重點專案，到時候我也有理由應對李志運，就說……”盧偉兵想了一下，“就說這是華夏zf的強制要求，我們也沒辦法，但我們據理力爭，不願意用這麼差勁的快閃記憶體顆粒，最後只採購了一部分。”
“但是你三星也得稍微給點優惠，起碼要保證產能，不然我們很有可能頂不住壓力去採購更多華芯國際生產的。”
盧偉兵這句話說完，陳星也明白了，這個東西可以對外說不關紅星的事情，星火半導體的快閃記憶體是國家級重點專案，只要紅星提出來，和趙利劍說清楚，那從國家層面幫紅星裝一手是完全沒問題的。
還是那倆字，裝糖。
“OK，可以按照這個想法制定幾套備選方案出來。”接著陳星又看向陸遠江，略帶歉意的說：“就是這麼做讓咱們的半導體團隊有點……”
陸遠江不在行的朝陳星擺了擺手，雖然說大家對名聲很在乎，可是吧，又不是說不公佈了。
按照自己對陳總的瞭解，效能不夠強的時候裝一波，能效能足夠了，那麼自己這些人的名字，快閃記憶體專案組工程師的名字，一定會出現在陳總口中。
“專利方面的話，因為我們即將進入的28/32n是 2D 平面 NAND 末期核心量產節點，FG，Floating Gate技術也就是平面浮柵整套底層專利幾乎被美光+ IB聯合壟斷，這部分的專利我會讓蔡總提前向美光和IB請授權。”
“這個是沒辦法的事情，我們的一些工藝也會被強制共享出去一部分。”
“繞不開？”陳星皺著眉問道。
“繞不開。”林先動說道：“只要做平面 FG NAND，單元底層結構必然落入其專利保護範圍，無任何的繞開空間，28n以下平面 FG 天生存在浮柵導體耦合串擾、隧穿氧化層漏電、擦寫耐久差三大物理短板，沒有任何改良的路徑。”
“這是物理特性決定的，不以人為意志轉移。”
這種純技術的東西，陳星就有點抓瞎了，他知道知道2D平面NAND這條路線會被走死，未來會向3DNAND發展，更知道3DNAND的一些技術路徑。
可你要是讓他說2DNAND技術路徑和繞開專利，那真抓瞎。
畢竟上一世自己出生的時候紅星走的就是3D路線，壓根就沒經歷過2D時代。
回想了半天，陳星也只想起來一個氮化矽，主要2D平面NAND是這玩意上一世的時候《紅星本紀》裡面壓根就沒寫過啊，自家老爹也從來沒提過。
氮化矽三個字還是一個叫尹陽君的朋友告訴他的。
“那個，陸教授，林博士，要不你們試試氮化矽？”
陳星只說了這一句，多了也沒法說，也不知道說什麼，氮化矽是在哪個節點用的，怎麼用的，統統不知道。
“氮化矽？”
林先動咂摸著這個名字，不知道陳總為什麼會突然說這東西。
和快閃記憶體工藝以及IB專利好像沒什麼……
不對！
