車間內，沈永健按下主控臺上的啟動按鈕。
極低且平穩的嗡鳴聲在耳邊一閃而過，龐大的裝置各處指示燈亮起。
從土法光刻到接觸式光刻，直至今日的步進掃描光刻，這光刻裝置本身雖然越來越精緻，但其體積也不斷增大。
就眼前這臺的體積已不輸於前些年的大型計算機。
車間內空調機組正不斷變頻中，精確地將溫度與溼度依舊保持在完美的恆定狀態。
這套薛福根還未展開研究的，只被他指明為之後研究方向的技術，如今在這臺精密空調之中已應用執行流暢。
“開始自檢。”
沈永健緊盯著眼前的控制螢幕，下達了指令。
機櫃嵌入的螢幕上，各項感測器資料如瀑布般刷過。
雷射干涉儀的讀數瞬間鎖定，氣浮導軌的壓力值穩定在標準區間，直線電機的響應延遲也達標。
“自檢透過，掩模臺與矽片臺就緒。”
顯示屏上顯示出結果，卓邵文看著面前的新機器，眼中滿是期待。
“載入測試晶圓，執行L-4晶片的模擬曝光程式。”
隨著指令錄入下達，塗有光刻膠的矽片送入至工作臺區域。
和上一代步進重複光刻機“靜止曝光”時的頓挫感不同，這次新機器的整個曝光過程顯得異常絲滑。
眾人能清晰看到在曝光的瞬間，掩模臺和矽片臺並沒有保持靜止，而是在雷射干涉儀的精準定位下，進行著同步反向移動。
而實際工作臺內對晶圓的不同曝光過程，光憑肉眼可看不出區別。
唯有等幾分鐘後，第一片測試晶圓曝光完成，被轉送入顯影與檢測區，眾人跟著期待起來。
車間內依舊安靜，觀摩的技術骨幹們再次屏住了呼吸，緊緊盯著檢測儀傳回的即時資料。
“多層套刻精度：0.15微米”
“邊緣線寬均勻度誤差率：1.95%”
…
顯示器測試結果顯現瞬間，卓邵文，張偉森等人便已經激動起來。
“啪啪~！”的鼓掌聲從幾人之中響起。
餘下的技術骨幹們也立刻激動地鼓起掌來。
要知道上一代的步進重複光刻套刻機精度勉強只達0.5微米左右，如今直接將精度提升了兩倍有餘。
哪怕還未大規模地生產測試，但良品率必然遠超之前！
“沈工，新光刻機的單片晶圓曝光時間比原先也縮短了40%。”
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